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更新時間：2025-03-12 
瀏覽次數：580半導體濺射是半導體制造中使用的一種薄膜形成技術。
被等離子體電離的氣體撞擊一種稱為靶的材料，將微粒沉積到基質上。噴射出的粒子以高能狀態到達基材，這使得它們更容易牢固地粘附在基材上。以金屬、氧化物等多種物質為靶材，在半導體芯片的配線層、絕緣膜、保護膜等各種膜的形成中發揮著重要作用。
與主要依賴化學反應的方法不同，濺射具有通過物理方式將材料供應到基材的 特點。與氣相沉積相比，該方法的優點是可以提供更高的薄膜附著力和均勻性，并且薄膜厚度的控制更容易且更穩定。據稱，在需要精細圖案的半導體工藝中，更容易實現高再現性。
半導體濺射是生產高性能器件的重要方法。
半導體濺射的優點在于，它可以靈活地適應堆疊具有多種功能層的工藝，從導電層到保護層。不僅可以期待穩定的薄膜品質，而且通過精密控制可以輕松獲得均勻的薄膜也備受關注。以下是如何使用這些服務的一些示例：
廣泛應用于半導體晶圓上高精度布線層及電極的形成工序。該方法的特點是可以在基板上均勻地沉積一層薄薄的金屬膜，從而獲得穩定的電氣特性。除了導體之外，它還可以形成絕緣膜和阻擋層，從而可以靈活應對日益復雜的器件結構。
濺射技術通常用于制造需要微加工的小型設備。通過等離子體物理供應粒子的優點是即使在具有高縱橫比結構的區域也更容易形成穩定的薄膜。例如，在傳感器和存儲元件中，精確控制的薄膜對器件性能和可靠性有重大影響。
半導體濺射服務也經常用于原型設計和研發領域。該方法的優點是在評估新材料的性能或優化工藝條件時可以輕松處理少量樣品。由于它可以處理各種各樣的材料，因此可以靈活地進行使用下一代功能材料和復合材料的實驗，并且在考慮高級應用時也很有用。該方法被高度評價為一種易于使用的技術，因為即使在測試的材料特性時，它也可以適當調整薄膜厚度。
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